Силовий GaN транзистор SMD GS61004B-MR Галій нітрит (20780)

GS61004B — це силовий транзистор GaN-on-Silicon у режимі поліпшення. Властивості GaN забезпечують високий струм, високе напругу пробою, високу частоту перемикання та роботу при високій температурі. GaN Systems реалізує запатентовану схему комірки Island Technology® для продуктивності кристала при високому струмі та виході. Упаковка GaNPX™ забезпечує низьку індуктивність і низький тепловий опір в компактному корпусі. GS61004B — це транзистор з нижнім охолодженням, який забезпечує дуже низький тепловий опір переходу до корпусу для вимогливих додатків з високою потужністю. Ці характеристики в сукупності забезпечують дуже високу ефективність перемикання потужності.

Технічна специфікація